Friday, February 24, 2023

लक्षण वर्णन

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ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों के लिए उपयोग किए जाने वाले कार्बनिक अर्धचालकों को डिजाइन और चिह्नित करने के लिए, पहले व्यावसायिक इंस्ट्रूमेंटेशन का उपयोग करके अवशोषण और फोटोल्यूमिनेसेंस स्पेक्ट्रा को मापना चाहिए। हालांकि, यह पता लगाने के लिए कि कोई सामग्री इलेक्ट्रॉन दाता या स्वीकार्य के रूप में कार्य करती है या नहीं, उसे छेद और इलेक्ट्रॉन परिवहन के लिए ऊर्जा स्तर निर्धारित करना होगा। ऐसा करने का सबसे आसान तरीका चक्रीय वोल्टामेट्री का उपयोग करना है। हालांकि, किसी को यह ध्यान रखना होगा कि इस तकनीक का प्रयोग प्रयोगात्मक रूप से निर्धारित ऑक्सीकरण और कमी की क्षमता कम सीमा होती है क्योंकि वोल्टामेट्री में कट्टरपंथी धनायन और आयन एक ध्रुवीय द्रव समाधान में होते हैं और इस प्रकार, विलायक होते हैं। एक ठोस नमूने में इस तरह का सॉल्वैंशन प्रभाव अनुपस्थित है। एक ठोस नमूने में होल ट्रांसपोर्टिंग स्टेट्स को ऊर्जावान रूप से खोजने के लिए प्रासंगिक तकनीक यूवी-फोटोएमिशन स्पेक्ट्रोस्कोपी है।[27]

आवेश वाहकों की गतिशीलता को मापने के लिए कई तकनीकें हैं। पारंपरिक तकनीक तथाकथित उड़ान का समय (टीओएफ) विधि है। चूँकि इस तकनीक के लिए अपेक्षाकृत मोटे नमूनों की आवश्यकता होती है, यह पतली फिल्मों पर लागू नहीं होती है। वैकल्पिक रूप से, कोई स्रोत-नाली और गेट वोल्टेज दोनों के एक समारोह के रूप में एक क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर में प्रवाहित वर्तमान से चार्ज वाहक गतिशीलता को निकाल सकता है। हालांकि, किसी को पता होना चाहिए कि एफईटी-गतिशीलता टीओएफ गतिशीलता से काफी बड़ी है क्योंकि एफईटी के परिवहन चैनल में चार्ज वाहक एकाग्रता (नीचे देखें)। चार्ज वाहक गतिशीलता को निर्धारित करने के अन्य तरीकों में अंतरिक्ष चार्ज सीमित वर्तमान (SCLC) प्रवाह को मापना और "रैखिक रूप से बढ़ते वोल्टेज (CELIV) द्वारा वाहक निष्कर्षण शामिल है। [28]

सेमीकंडक्टर फिल्मों की आकृति विज्ञान को चिह्नित करने के लिए, एटॉमिक फोर्स माइक्रोस्कोपी (AFM) स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी (SEM) और ग्राज़िंग -इंसिडेंस स्मॉल-एंगल स्कैटरिंग (GISAS) लागू किया जा सकता है।

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